DFB na DBR Laser-Mtengenezaji wa Kimataifa

Makundi ya Uzalishi

Taarifa za mpira

Mawasiliano na sasa

DFB na DBR Laser

Tafsiri za uzalishaji

DFBnaLaser ya DBR

Nguvu ya juu 1550nm DFB laser

Sifa kuu:

Maombi:

Sifa za umeme:

T_OP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.

Parameter	Sym.	Condition	Min	Typ.	Max	Unit
Kazi chip joto	T_CHIP		20		35	°C
Kiwango cha sasa	I_TH			50		mA
Laser kuendesha sasa	I_OP			375	500	mA
Voltage ya Laser ya Juu	V_F	I= I_MAX			3	V
Nguvu ya pato	P_OP	100mW Version, I=I_OP	100			mW
		80mW Version, I=I_OP	80
		63mW Version, I=I_OP	63
		50mW Version, I=I_OP	50
		40mW Version, I=I_OP	40
Frequency ya Kati	F_OPT	P=P_OP	See ordering information			THz
Upana wa mstari	Δν			1		MHz
relative nguvu kelele	RIN	P=P_OP, 0.2GHz→14GHz			-150	dB/Hz
Kiwango cha kukabiliana na mold	SMSR	P=P_OP	30			dB
Optical kutengwa	ISO		30	35		dB
Uwiano wa Mwanga	PER		17	21		dB
Kufuatilia mwanga diode sasa	I_PD		100			µA
Kufuatilia mwanga diode giza sasa	I_D				100	nA
Kufuatilia makosa			-0.5		0.5	dB
TEC sasa		T_OP=70°C, P=P_OP, T_CHIP=25°C			4.0	A
TEC Voltage		T_OP=70°C, P=P_OP, T_CHIP=25°C			4.0	V
Impedance ya thermostat	R_TH	T=25°C	9500	10000	10500	Ω
Thermostat β kiwango	β	0 / 50°C		3892

High bandwidth DFB laser

Sifa kuu:

Sifa za umeme:

T_OP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.

Parameter	Sym.	Condition	Min	Typ.	Max	Unit
Kazi chip joto	T_CHIP		15		35	°C
Kiwango cha sasa	I_TH		8		20	mA
Laser kuendesha sasa	I_OP			75	100	mA
Voltage ya Laser ya Juu	V_F	I= I_MAX		1.6	2	V
Nguvu ya pato	P_OP	I=I_OP	18			mW
Kituo cha wavelength	λ	P=P_OP		1310 1550		nm
Upana wa mstari	Δ ν			1		MHz
relative nguvu kelele	RIN	P=P_OP, 0.2GHz→3GHz			-150	dB/Hz
Kiwango cha kukabiliana na mold	SMSR	P=P_OP	30			dB
Optical kutengwa	ISO		30	35		dB
Uwiano wa Mwanga	PER		17	19		dB
Kufuatilia mwanga diode sasa	I_PD		50			µA
Kufuatilia mwanga diode giza sasa	I_D				100	nA
Kufuatilia makosa			-0.5		0.5	dB
TEC sasa		T_OP=70°C, P=P_OP, T_CHIP=25°C			2.0	A
TEC Voltage		T_OP=70°C, P=P_OP, T_CHIP=25°C			2.5	V
Impedance ya thermostat	R_TH	T=25°C	9500	10000	10500	Ω
Thermostat β kiwango	β	0 / 50°C		3892

Laser ya 1064nm DBR

Sifa kuu:

Maombi:

Sifa za umeme:

T_OP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.

Parameter	Sym.	Condition	Min	Typ.	Max	Unit
Kazi chip joto	T_CHIP		15		35	°C
Kiwango cha sasa	I_TH			40	50	mA
Laser kuendesha sasa	I_OP			500	550	mA
Voltage ya Laser ya Juu	V_F	I= I_MAX		2.0	2.5	V
Nguvu ya pato	P_OP	I=I_OP		150		mW
Kituo cha wavelength	λ	P=P_OP	1062	1064	1066	nm
Upana wa mstari	Δ ν			8	10	MHz
Kiwango cha kukabiliana na mold	SMSR	P=P_OP	-30			dB
Uwiano wa Mwanga	PER		14	19		dB
Kufuatilia mwanga diode sasa	I_PD	P=P_OP	50			µA
Kufuatilia mwanga diode giza sasa	I_D				100	nA
TEC sasa		ΔT=25°C, P=P_OP			3.5	A
TEC Voltage		ΔT=25°C, P=P_OP			3.5	V
Impedance ya thermostat	R_TH	T=25°C	9500	10000	10500	Ω
Thermostat β kiwango	β	0 / 50°C		3892

1064 nm Nguvu ya juu DFB Laser

Sifa kuu:

Maombi:

Sifa za umeme:

T_OP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.

Parameter	Sym.	Condition	Min	Typ.	Max	Unit
Kazi chip joto	T_CHIP		20		40	°C
Kiwango cha sasa	I_TH			17		mA
Laser kuendesha sasa	I_OP				400	mA
Voltage ya Laser ya Juu	V_F	I= I_MAX			3	V
Nguvu ya pato	P_OP	I=I_OP	50			mW
Kituo cha wavelength	λ	P=P_OP	1062	1064	1066	nm
Upana wa mstari	Δ ν				0.1	nm
Kiwango cha kukabiliana na mold	SMSR	P=P_OP	40			dB
Uwiano wa Mwanga	PER		17	21		dB
Kufuatilia mwanga diode sasa	I_PD	P=P_OP	100			µA
Kufuatilia mwanga diode giza sasa	I_D				100	nA
TEC sasa		ΔT=25°C, P=P_OP			3	A
TEC Voltage		ΔT=25°C, P=P_OP			3	V
Impedance ya thermostat	R_TH	T=25°C	9500	10000	10500	Ω
Thermostat β kiwango	β	0 / 50°C		3892

Utafiti wa mtandaoni